40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

浅沟槽隔离（STI）模块在先进的 CMOS 架构中为有源器件区域提供关键的电气隔离，以防止寄生串扰和漏电流 [A2]。在 STI 化学机械平坦化（CMP）步骤之后，晶圆表面会覆盖研磨残留物、抛光垫碎屑以及有机钝化层 [P1]。此 STI CMP 后清洗步骤专门用于在随后的 STI 最终致密化退火和湿法去胶蚀刻之前彻底清除这些复杂的残留物 [P2]。