STI CMP - 40nm BSI CMOS Image Sensor 40nm 工艺步骤 | SemiFlows

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Pre-CMP Oxide Deposition

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STI CMP

STI CMP Post Cleaning

25SiN Hard Mask Deposition 26SiO Hard Mask Deposition 27Pre Litho Cleaning 28Shallow Trench Isolation - Photo 29Oxide Etch 30Nitride Etch 31Si Etch 32Ashing & Strip/Clean 33Trench Sidewall Passivation 34STI Liner Oxidation 35STI Fill Conformal CVD Liner 36STI Fill Liner Etchback 37Oxidation Preaclean 38STI Fill Conformal CVD Oxide 39STI Fill Post Clean 40STI Conformal CVD Anneal 41Pre-CMP Oxide Deposition 42STI CMP 43STI CMP Post Cleaning 44STI Final Densification Anneal 45Wet Deglaze Etch 46SiN Strip 47Blanket B Well Implant

工艺截面图

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本步要点

STI CMP 选择性去除沟槽填充后的多余氧化物，从而在保留沟槽内隔离介质的同时为清洗与停止层去除建立表面条件 (Engineering Practice)。

原理展开

结构从哪里来，CMP 改变什么

本 Flow 的浅沟槽位置和有源区横向边界由前面的光刻、硬掩膜转移和硅刻蚀建立。随后进行侧壁处理、衬层与氧化物填充。STI CMP 接收已填充且表面覆盖多余氧化物的结构，通过去除覆盖层并控制沟槽内氧化物相对停止层的高度，完成隔离模块的平坦化阶段。它并不重新刻出沟槽或独立定义有源区轮廓。

选择性与机械接触的协同

风险与挑战

氧化物残留：停止层上方的局部残留可能阻碍后续去除，需要与清洗、…

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SiO Hard Mask Deposition
Pre Litho Cleaning
Shallow Trench Isolation - Photo
Oxide Etch
Nitride Etch