40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

STI最终致密化退火（Final Densification Anneal）在化学机械平坦化（CMP）及CMP后清洗步骤之后进行，是去除保护性氮化硅（SiN）衬垫层之前的关键热处理工艺 [P1]。在40nm BSI CMOS图像传感器工艺流程的这一阶段，浅沟槽虽已完成填充与平坦化，但所沉积的氧化物仍保留了非理想的结构特征及残余机械应力 [P4]。此最终退火旨在充分致密化残留的隔离氧化物，通过调整其分子结构，使其密度趋近于热生长氧化物 [P1]。