Low Temperature Anneal - 40nm 工艺步骤

如果使用成形气体（Forming gas）环境，氢气会扩散穿过介质网络到达下方的硅-二氧化硅界面，钝化硅悬挂键并降低界面态密度 [T1]。

该低温退火位于接触孔形成（W CMP 及 CMP 后清洗）之后、第一层金属布线（M1）之前，作为关键的稳定和钝化阶段 [A1]。在之前的接触孔金属化过程中，钛（Ti）和氮化钛（TiN）衬层以及钨（W）塞的沉积引入了巨大的热机械应力，而化学机械抛光（CMP）产生的剪切力进一步加剧了这种应力 [T3]。随后的退火工艺旨在消除这种薄膜应力、致密化金属塞微观结构，并在后续金属间介质层（PMD 5）密封结构之前钝化工艺诱导的界面态 [A1]。