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PMD 5沉积步骤用于构建后续容纳第一层金属互连（Metal 1）的介电基质 [A1]。该沉积过程紧随 TiN/Ti 接触孔的化学机械平坦化（CMP）和低温退火之后，旨在将已完成的中段工艺（MOL）接触结构与随后的上层金属层进行隔离 [P1]。它通过提供一层均匀且可平坦化的绝缘层，为 Metal 1 的沟槽光刻和氧化层刻蚀工艺做好准备 [A1]。