40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器中，3D异构集成高度依赖直接键合互连（DBI）技术来实现传感器阵列与逻辑芯片的连接 [P2]。ILD 6-5刻蚀步骤是一项关键的后段工艺（BEOL）干法刻蚀工艺，旨在为后续的Metal 8 DBI焊盘定义介质沟槽 [A2]。该步骤位于晶圆键合层（WBL）刻蚀之后，将光刻定义的沟槽图案选择性地深蚀刻至体ILD 6介质堆叠中 [A2]。