40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器中，直接键合互连（DBI）需要精确的通孔成型，以实现像素阵列与底层逻辑电路的连接（工程实践）。ILD 6-5刻蚀步骤启动了从VIA 7光刻胶到最上层层间介质堆叠的图形转移，为后续穿过底层（ILD 6-4至6-2）的连续深孔刻蚀奠定了基础 [A1]。通过精确刻蚀该顶层，工艺过程构建了高深宽比DBI通孔的上半部分，这对于后段工艺（BEOL）中的垂直集成和低电阻信号路由至关重要 [P1]。