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NMOS $V_T$调节离子注入（IIP）步骤紧接在仅定义并曝光NMOS有源区的光刻工艺之后 [P2]。此步骤的主要目标是通过在沟道区引入受控剂量的p型掺杂剂，精确校准NMOS晶体管的阈值电压（$V_{TH}$） [T1]。正如 [P5] 中所证明的，这种阈值调节注入是有意通过牺牲氧化层而非最终栅极介质层来执行的。