40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在背照式（BSI）CMOS图像传感器中，有源光电二极管阵列从晶圆背面接收光线，这要求通过减薄后的硅衬底将正面布线的焊盘暴露出来 （工程实践）。在完成初步的背面平坦化和光刻步骤后，执行 Si Etch 步骤，以选择性地去除终端金属焊盘上方的块体硅 [A1]。该工艺创建了一个深孔或沟槽结构，在物理上穿透衬底，并精确终止于下方的焊盘氧化层或接触刻蚀停止层（CESL）[P2]。