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“CESL 1 - Etch”步骤发生在接触孔形成的中段工艺（MOL）模块中，紧随PMD（预金属介质）和CESL 2刻蚀之后，并在焊盘氧化层刻蚀和Ti阻挡层沉积之前进行 [P2]。在纳米尺度等先进节点中，接触孔刻蚀停止层（CESL）具有双重作用：一是在厚PMD氧化层刻蚀期间充当刻蚀停止层以保护下层结构 [A1]，二是作为工艺诱导的应力层以增强MOSFET沟道中的载流子迁移率 [P1]。