40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

40nm BSI CMOS图像传感器键合焊盘模块中的RIE刻蚀ILD 2-1工艺是一个关键的中间步骤 [A1]。它在ILD 1刻蚀之后、ILD 3刻蚀之前执行，旨在逐步清除覆盖在金属接触焊盘上方的厚介质堆叠层 [A2]。与浅层标准氧化物或氮化物刻蚀（步骤#9、#10）或针对衬底的高各向异性硅全沟槽刻蚀（步骤#16）不同，该步骤必须处理复杂的多层互连级介质堆叠 [A2]。由于单次深度刻蚀穿透整个封装介质会超出光刻胶的预算并导致严重的掩模侵蚀，因此该工艺在结构上被划分为多个阶段 [P2]。