高密度等离子体产生离子通量,通过破坏暴露氧化物表面的化学键,为各向异性刻蚀提供所需的定向性 [P4]。
上层 OCL 涂层刻蚀步骤用于在最顶层的保护性氧化层中形成精确的物理开口,以暴露下方的结构,用于后续的封装或键合连接 [A2]。该步骤紧随第一道光刻胶图案化阶段之后,该阶段定义了焊盘开口的几何覆盖范围 (工程实践)。此工艺位于灰化(Ashing)和第二次键合焊盘开口步骤之前,专门针对厚实的上层保护性氧化物,同时保留下方的网格密封层(grid seal layer)[P2]。
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