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在纳米尺度双栅氧化层（DGOX）集成方案中，薄栅氧化层生长步骤是核心低压逻辑晶体管的关键基础 [P3]。在彻底去除牺牲氧化层以确保获得原始且无损伤的硅表面后，该步骤会热生长一层超薄介质层 [P4]。此过程与随后的厚栅氧化层生长步骤有着根本区别，因为薄氧化层经过严格优化，旨在最大化核心逻辑电路的栅电容和驱动电流，而非为了承受I/O或像素阵列晶体管更高的工作电压 [T1]。在此步骤之后，沉积一层氮化物硬掩膜，以便在后续的厚氧化层光刻和剥离工序中选择性地保护这些薄氧化层区域 （工程实践）。