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在接触孔（CONTACT）模块中，钨（W）沉积紧随 Ti 和 TiN 层的形成之后，旨在完成连接硅衬底与第一层金属互连线的金属塞 [P2]。选择钨作为接触塞是因为它通过化学气相沉积（CVD）工艺沉积时具有极佳的台阶覆盖性，能够填充高深宽比的孔洞而不产生空洞 [P1]。之前的 Ti 层起到降低肖特基势垒并形成硅界面欧姆接触的作用 [T2]。同时，中间的 TiN 层作为扩散阻挡层，保护下层材料免受 W 沉积过程中反应气体的侵蚀 [P1]。