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在接触孔中依次沉积用于附着的 Ti、作为扩散阻挡层的 TiN 以及进行本体化学气相沉积（CVD）钨之后，所形成的结构会呈现出显著的金属覆盖层和表面形貌 [P2]。钨化学机械平坦化（W CMP）步骤的存在是为了通过去除这些本体 W 覆盖层来全局平坦化晶圆表面，从而在随后的阻挡层 TiN/Ti CMP 和清洗步骤之前，在物理上隔离各个独立的接触塞 [P2]。这种反向金属化方案依赖于 CMP 来实现先进亚微米互连所需的平坦度 [P2]。