40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

PMD 4 刻蚀步骤启动了前段介质（PMD）堆叠层的顺序图案化工艺，旨在形成高深宽比接触孔（HARC），以连接第一层金属与下方的栅极及源/漏极区域 [P2]。在接触孔开孔光刻步骤之后，该各向异性干法刻蚀将光刻胶图案转移至最顶层的介质膜中 [A1]。由于现代微缩器件使用多层 PMD 堆叠结构，其组成各异，以管理间隙填充和热机械应力，因此刻蚀被划分为多个目标明确的阶段，从 PMD 4 开始，依次向下进行至 PMD 1 [P4]。