精确控制的锥形轮廓非常理想,因为它增加了接触孔对栅极对准偏差的工艺窗口,同时保持了精确的目标底部 CD,以确保牢固地着陆在源/漏极硅化物上 [P3]。
Metal 1 栅极及源/漏极(S/D)接触孔光刻步骤是定义从第一层主要布线金属(Metal 1)向下连接至晶体管栅极和有源源/漏区的垂直电气通路的关键光刻工艺 [A2]。该步骤位于 PMD 4 沉积和表面制备之后,决定了后续穿过 PMD 4、PMD 3 和 PMD 2 的多层介质刻蚀的精确横向空间坐标 [A2]。
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