40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

隔离沟槽的界面准备

STI Liner Oxidation 位于沟槽刻蚀与前序表面处理之后，为后续衬垫和隔离填充准备氧化的硅表面。热氧化消耗暴露硅并形成氧化物，移动硅与介质的界面；这与单纯在原表面上沉积一层膜不同。消耗表层硅及热处理可能改变刻蚀损伤，但不能保证所有缺陷都被消除。

氧化剂通过表面及已生长的氧化层到达反应界面，反应、输运与几何共同影响生长。氮化物掩膜抑制被覆盖区域的氧化，但掩膜边缘仍可能发生横向氧化。沟槽角部形貌及应力也会改变局部氧化，不能认为所有位置按相同速率生长。