40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

本步接在 M1 金属／衬层 CMP、清洗与 ILD 1-1 SiCN Barrier Deposition 后，随后为 V1 光刻和 ILD 1-2 Oxide Etch。当前材料记录为 SiO，不把其他 low-k 体系的碳掺杂、造孔剂或 UV 固化当成本步已确定事实。

成膜与层间绝缘

沉积在已有阻挡层上建立介质网络，其覆盖受表面反应、输运及局部形貌影响。膜的密度、残余基团和应力会影响后续刻蚀与力学响应，材料名称本身不能保证处处等厚或无缺陷。