40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在完成体铜（bulk copper）和基于 Ta 的衬垫（liner）的平坦化后，最终氧化物化学机械平坦化（CMP）步骤为晶圆表面进行直接键合互连（DBI）做好了准备 [P3]。在 纳米尺度 背照式（BSI）CMOS 图像传感器集成工艺流程中，该步骤确保了超平滑且高度平坦的介电表面，这是后续 CIS 与 ISP 晶圆键合配对所必需的 [A2]。混合键合工艺要求达到亚纳米级的表面粗糙度，以促进在 RF 表面活化后自发产生范德华力键合 [P1]。