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ILD 6-6（晶圆键合层，WBL）刻蚀是异构集成中建立直接键合互连（DBI）结构基础的关键前段工艺步骤 [P1]。在沉积 WBL 并完成后续沟槽光刻后，该干法刻蚀工艺将 Metal 8 DBI 焊盘图案转移至最顶层的介质层中 [A1]。这定义了最终将环绕顶层 Cu 焊盘的介质场区 [P1]。创建精确的沟槽至关重要，因为混合键合要求连接图案化在该介质场内、略微凹陷或几何结构受控的 Cu 互连 [P1]。