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Cu籽晶沉积步骤与基于Ta的衬垫沉积步骤无缝衔接，为后续用于Metal 6层主体Cu的电化学沉积（ECD）提供了关键的导电成核基础 [P1]。由于此特定步骤位于直接键合互连（DBI）模块中，所得的金属结构最终将作为晶圆对晶圆混合键合的界面（工程实践）。因此，籽晶层必须确保极其致密且均匀的ECD生长，以防止产生微孔，否则这些微孔会在随后的Cu CMP步骤中转化为严重的焊盘碟形凹陷（dishing）以及灾难性的键合失效 [P4]。