ILD 6-2 Etch - 40nm 工艺步骤

等离子体化学成分和射频（RF）偏置参数的选择，受限于低-k 介质与周围掩模或刻蚀停止材料之间必须实现高刻蚀选择比的严格要求 [P2]。

在 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺流程中，直接键合互连（Direct Bond Interconnect，DBI）模块需要高精度的顶层金属结构，以用于后续的混合键合 [P2]。ILD 6-2 刻蚀步骤是多步双大马士革（dual-damascene）刻蚀序列中的一个关键阶段，位于初始掩模开口（ILD 6-5 至 6-3）和最终阻挡层/刻蚀停止层清理（ILD 6-1）之间 [A1]。