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直接键合互连（Direct Bond Interconnect, DBI）工艺模块中的 Cu CMP 步骤对于去除在 Metal 6 阶段沉积的大量铜过载层至关重要，该步骤旨在将铜隔离在沟槽结构内 [P4]。此步骤位于基于 Ta 的衬垫层 CMP 和最终氧化物 CMP 之前，其主要目标是选择性地清除大量铜，并精确停止在底层的基于 Ta 的衬垫层上 [P3]。