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在纳米尺度后段工艺（BEOL）互连制造中，化学机械平坦化（CMP）工艺通常分为两个主要步骤：铜去除（bulk copper removal）和阻挡层平坦化 [P1, P2]。在第一步去除铜过剩量（overburden）并选择性地在衬垫（liner）处停止抛光后，执行基于Ta的衬垫CMP步骤，以去除场区（field regions）残留的阻挡金属层 [P2]。该工艺通过彻底暴露出底层的层间介质（ILD），实现相邻铜互连之间的电气隔离 [P3]。