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Metal 6 (M6) Cu 沉积是后段工艺（BEOL）流程中，Direct Bond Interconnect (DBI) 模块之前的最后一道、最顶层的金属化步骤 [P1]。在沉积 Ta 基阻挡层和 Cu 晶种层之后，该步骤依赖电化学电镀 (ECP) 来完全填充双大马士革（dual-damascene）沟槽和通孔 [P2]。M6 层沉积完成后，需进行化学机械抛光 (CMP)，以实现金属线路的隔离，并形成后续晶圆对晶圆混合键合所必需的高平坦化表面 [P2]。