40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器中，光线从背面射入，这就需要对硅衬底进行减薄处理 （工程实践）。为了将传感器连接到外部电路，必须从背面引出位于前段工艺金属化层中的键合焊盘 [P1]。在完成背面硅减薄和初步表面处理后，这一特定的光刻步骤——键合焊盘开口3（Bond Pad Opening 3 - Photo），定义了深层背面通孔沟槽的掩模 [A1]。