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在通过反应离子刻蚀（RIE）完成宏观背面硅通孔（TSV）形成后，必须进行稳健的灰化（Ashing）和剥离/清洗（Strip/Clean）步骤，以为随后的键合焊盘开口3（Bond Pad Opening 3）光刻工艺做好表面准备 [P3]。先前的RIE步骤通常采用重碳氟化合物等离子体化学，通过在侧壁上形成保护性聚合物薄膜来实现各向异性硅刻蚀 [A1]。因此，该剥离步骤必须彻底清除深通孔刻蚀后残留的高度交联、富含氟的聚合物残留物以及任何硬化的光刻胶外壳 [P2]。