40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在接触孔（contact）工艺模块中，经历了 CESL 1、焊盘氧化层（Pad Oxide）以及 Poly/Si 回刻（Back Etch）等严苛的工序序列后，晶圆表面会残留高度交联的光刻胶壳层和复杂的氟碳化合物刻蚀后残留物（PER）[P1]。这一特定的去胶/清洗（Ashing & Strip/Clean）步骤至关重要，因为它直接位于 Ti/TiN 阻挡层沉积之前，而后者需要一个超净界面以形成低电阻欧姆接触 [T1]。