CVD 通过气相前驱体的表面反应限制机制进行，可在侧壁和底部拐角处实现近乎各向同性的沉积，从而形成连续且致密的扩散阻挡层 [P3]。
在高深宽比接触孔的灰化和清洗之后，该结构需要一个导电界面，以将硅有源区与后续的钨塞相连接 [P3]。Ti/TiN 堆叠层发挥着关键的双重作用：钛 (Ti) 层起到吸氧层和粘附层的作用，而氮化钛 (TiN) 层则起到扩散阻挡层的作用 [P2]。如果没有这层 TiN 阻挡层，后续钨沉积步骤中使用的强腐蚀性 WF6 前驱体将会剧烈侵蚀底层的 Si 或硅化物界面，导致挥发性 TiF4 副产物的形成，并引发严重的接触空洞问题 [P2]。
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