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在“STI填充保形CVD氧化物”步骤之后，所沉积的介电薄膜通常具有多孔性，且结构完整性不佳 [P2]。为充分准备后续的“CMP前氧化物沉积”和“STI CMP”步骤，填充的氧化物必须经过高温热退火处理 [T1]。此退火工艺可驱除残留杂质，使保形CVD薄膜致密化，并防止CMP研磨液或后续湿法刻蚀剂对隔离氧化物造成过度侵蚀 [P2]。