40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器工艺流程中，栅极模块定义了晶体管的关键沟道控制结构 [T1]。在此步骤之前，沉积了一层掺砷多晶硅，并经过高温激活退火以设定栅极功函数并降低薄层电阻 [T1]。这一特定的光刻前清洗步骤为随后的栅极形成光刻及多晶硅刻蚀工艺准备了退火后的多晶硅表面 [A1]。与流程中其他用于处理氧化硅或裸衬底表面的光刻前清洗不同，该步骤必须在不造成过度材料损失或掺杂剂向外扩散的情况下，有选择地调节高掺杂多晶硅表面 [P2]。