40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

CESL 2 刻蚀步骤紧接在主体前段工艺（PMD）氧化物经各向异性刻蚀以打开接触孔之后进行 [P1]。在 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺流程中，接触模块采用多层接触刻蚀停止层（CESL）方案，旨在同时提供稳健的刻蚀停止能力和高度局部化的沟道应力 [P1]。由于先前的 PMD 刻蚀工艺使用旨在高效停止在最上层氮化物上的高选择性碳氟化合物等离子体，因此必须通过此特定步骤击穿上层 CESL（CESL 2），随后再由单独步骤处理下层 CESL（CESL 1） [P3]。