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在进行 VSS 和外围区域（Periphery）P-Well 接触离子注入及随后的去胶/清洗工艺后，硅晶格仍保留显著的结构损伤 [T1]。注入的掺杂剂最初大部分位于间隙位置，使其处于电学非激活状态 [T2]。掺杂剂激活步骤采用受控的热循环来修复这种晶体学损伤，并迫使掺杂原子进入晶格置换位置 [A1]。该步骤发生在接触孔刻蚀停止层（CESL）和预金属介质（PMD）沉积之前，作为前段工艺（FEOL）最后的关键高温操作，用于最终确定结深和薄层电阻 [P1]。