40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在用于40nm BSI CMOS图像传感器的双栅氧（DGOX）模块中，需要多种栅极氧化层厚度以应对不同的工作电压 [P1]。在经过光刻图案化及随后的氮化物硬掩膜干法刻蚀后，晶圆表面会残留一层较厚的聚合光刻胶和氟碳刻蚀残留物 [A3]。这一特定的灰化（Ashing）与剥离/清洗步骤被精确部署在高温厚栅氧化生长之前，旨在彻底清除这些有机物和聚合物 [P1]。如果光刻胶和刻蚀副产物未能被彻底清除，残留的碳和金属杂质会在后续的热氧化过程中进入硅衬底，从而严重降低栅氧化层的完整性 [P1]。