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PolySi退火步骤紧接在砷掺杂多晶硅沉积之后，位于栅极形成的平版印刷和刻蚀工艺模块之前 [P1]。其主要功能是通过热处理激活栅电极内注入或原位掺杂的杂质，将高电阻率的沉积态薄膜转化为高导电性电极 [T3]。在现代CMOS集成工艺中，重掺杂多晶硅被用作栅极材料，因为它能够承受高温处理，且其功函数可通过掺杂进行定制，从而实现NMOS和PMOS器件对称的阈值电压 [T1]。对于n型栅极，激活砷掺杂剂会使费米能级向导带边缘移动，从而使有效功函数与硅的电子亲和能对齐 [T1]。