40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

这一特定的去胶（Ashing & Strip/Clean）步骤紧随用于形成 VSS 和外围 P-Well 接触点的高剂量 P+ 离子注入工艺之后，且至关重要地为后续的高温掺杂剂激活退火工艺做好晶圆准备 [A6]。在上游注入过程中，光刻胶掩模吸收了大量高能掺杂离子，这会在物理上破坏光刻胶聚合物链，并在化学上耗尽氢元素，从而留下高度交联且碳化的表面硬壳 [A4]。