40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在双大马士革后段工艺（BEOL）流程中，层间介电层（ILD）堆叠通常由底部的 SiCN 刻蚀停止层/阻挡层和上方的氧化物或低 k 值 ILD 层组成 [A1]。前一道工序（ILD 4-2 氧化物刻蚀）向下刻蚀穿过本体氧化物，并利用两种介电材料之间的刻蚀选择比差异，精确停止在该 SiCN 层上 [A1]。