氮化物沉积覆盖侧墙衬垫氧化物，随后回刻形成保留侧墙，为后续深源漏加工提供几何参照（工程实践）。
本步位于 SWS (Pad Oxide) Deposition 与 SWS Nitride Anisotropic Back Etch 之间，后续才进行深源漏相关注入。当前是连续覆盖层，回刻通过方向相关的去除形成侧墙，不是仅凭水平与垂直膜厚差来自动清除平坦区。应力对输运的作用取决于晶向、载流子类型、应力分量与结构，不能把任意拉伸或压缩都描述为降低有效质量并提高迁移率。
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