技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
半导体制造中的热氧化工艺：物理原理、机理与工艺集成
热氧化是半导体制造中最基础的工艺步骤之一，涉及硅衬底与氧化气氛（通常是分子氧O₂或水蒸气H₂O）在高温下的受控反应，以形成二氧化硅SiO₂。
预非晶化注入（PAI）：半导体制造中的物理原理、工艺集成与技术节点演进
PAI 可在掺杂注入前减弱晶体沟道效应；再生长、激活与残余缺陷须分别核验。所链接的 40nm 流程未标明 PAI。
半导体制造中钝化的基本原理：物理机制与集成工艺
钝化是半导体制造中的一项基本工艺。其核心是指在半导体表面或界面上有意形成保护层或化学状态，以抑制不利的物理、化学或电学相互作用。
PECVD：等离子体化学与薄膜生长
PECVD 利用等离子体活性物种成膜；ICP-PECVD 是其中一种等离子体源设计。热预算、覆盖、膜质和损伤取决于化学与反应器条件。
等离子体增强氧化层（PEOX）：先进半导体制造中的基本原理、机理与集成
等离子体增强氧化层（PEOX）是一种使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）沉积的二氧化硅薄膜。该工艺利用电离气体驱动成膜化学反应，其衬底温度显著低于传统热化学气相沉积（CVD）所需的温度。
半导体制造中的平坦化技术：物理原理、化学机制及先进节点演进
所链接 STI 与 PMD 工位是 CMP 实例。平坦化降低起伏；步骤名称不说明浆料、停止层、终点或实测缺陷。
前金属介质（PMD）：物理学、工艺集成及在先进半导体节点中的演进
在现代集成电路架构中，从前段工艺（FEOL）晶体管制造过渡到后段工艺（BEOL）互连金属化，需要一个关键的绝缘层，该层将器件级结构与第一金属互连层进行电学隔离。该层被称为预金属介质层（PMD）。
半导体制造中的阻挡层前处理：物理原理、工艺机制与集成逻辑
阻挡前处理为接触衬里准备表面；40nm 流程展示相邻刻蚀、Ti/TiN 与钨步骤，但未命名处理方法。
半导体制造中的压力基本原理：物理、工艺控制与先进节点集成
压力是半导体制造中最基本的热力学变量之一，它控制着气相传输、表面反应动力学、等离子体行为，甚至电子能带结构。在集成电路制造的背景下，压力指的是工艺腔室内气体分子施加在单位面积上的力，它直接决定了分子的平均自由程、物种间…
半导体制造中化学机械抛光的基本原理：物理、机理与集成
化学机械抛光（CMP），有时也称为化学机械平坦化，是一种精密表面精加工工艺，它结合化学反应和机械磨蚀，实现半导体晶圆的全局平坦化。正如其名称所示，CMP是化学和机械抛光或刻蚀的结合 T1。
PVD 溅射：从靶材到晶圆
PVD 把材料从源转移到晶圆；溅射依靠离子动量。7nm 金属薄膜截面只提供集成语境，不能证明具体步骤采用溅射。
反应离子刻蚀（RIE）：半导体制造中的物理原理、机制与演进
反应离子刻蚀（RIE）是一种干法刻蚀技术，它将化学反应性等离子体与定向离子轰击相结合，以实现高度各向异性的材料去除。在半导体制造中，从光刻胶到下层薄膜的图形转移，关键取决于能否刻蚀出垂直轮廓并实现严格的尺寸控制。