技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
器件���理2026年3月29日5 分钟阅读
理解半导体器件物理与工艺集成中的阈值电压 (Vth)
引言 阈值电压 ($V_{th}$) 是半导体器件物理中的一个基本电学参数，它表示诱导形成反型电荷层并使晶体管从关断状态（OFF state）转变为开启状态（ON state）所需的最小栅极偏置电压 T3。在现代集成电路运行中，该参数决定了器件开关速度与静态功耗之间微妙的平衡 T2。如果阈值电压设置过高，驱动电流会减小
器件���理2026年3月15日5 分钟阅读
鳍式场效应晶体管（FinFET）：物理学、工艺原理和技术演进
引言 鳍式场效应晶体管（FinFET）是一种三维金属-氧化物-半导体场效应晶体管架构，其中导电通道形成在从衬底表面突出的薄垂直硅鳍上，允许栅极绕过通道的多个侧面 T1。这种多栅极几何结构从根本上区别于FinFET和其平面前身：栅极不是通过单一顶表面栅极控制电流，而是对两个垂直侧壁施加静电影响，在许多实现中还包括鳍的顶表