技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
EKC刻蚀后残留物去除：原理、机理及先进节点集成于半导体制造
在半导体制造中，每一个定义图形的等离子体刻蚀步骤都会在晶圆表面留下不希望的副产物。这些副产物统称为刻蚀后残留物，由高度交联的聚合物薄膜、金属卤化物、氟碳沉积物以及溅射材料组成，它们粘附在侧壁、沟槽底部和图形顶部。
等效氧化层厚度（EOT）：物理原理与先进节点集成
等效氧化层厚度（EOT）是先进半导体制造中最基础的指标之一。其核心含义是：二氧化硅（SiO₂）层需要达到多厚，才能与采用不同材料、具有实际物理厚度的真实介质堆叠产生相同的单位面积栅极电容。
半导体制造中的刻蚀停止层：原理、物理机制与集成逻辑
刻蚀停止层（ESL）是在半导体器件堆叠中沉积的一层薄薄的、对刻蚀具有选择性耐受力的薄膜，其作用是在精确界定的材料界面处终止刻蚀过程。
刻蚀速率：去除量、选择比与均匀性
刻蚀速率测量特定材料在一段时间内的去除量。理解选择比、测量位置与图形形状为何影响解读，再到公开流程中定位两处STI刻蚀。
半导体制造中的鳍高调整：物理原理、工艺机制及先进节点集成
鳍高调整是半导体工艺中的关键步骤，它决定了鳍式场效应晶体管（FinFET）器件中硅鳍的垂直尺寸。在初始鳍图形化之后，必须精确设定鳍高，以实现所需的器件性能特性，包括驱动电流、静电控制和漏电抑制。
栅氧化层制备：半导体制造中的物理原理、机制与工艺演进
栅极氧化（GOX）是在硅衬底上通过热工艺生长一层薄且高质量的二氧化硅（SiO₂）层，用作金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）中的栅极介质。
HKMG 原理：高-k 介质、金属栅与 EOT
区分介质电容、多晶硅耗尽与有效功函数。
半导体制造中的层间介质（ILD）：物理原理、集成逻辑与先进节点演进
层间介质（ILD）是集成电路制造中最基础的薄膜之一。其核心作用是在导电结构之间沉积绝缘层——无论是前段工艺（FEOL）中栅极电极与源/漏接触之间的绝缘，还是后段工艺（BEOL）中金属互连层级之间的绝缘——以提供电气隔离…
半导体界面：先进CMOS中的物理原理、电荷机制与集成挑战
在半导体制造中，界面是两种不同材料相遇的原子级薄边界区域——最著名的是支撑互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的硅/二氧化硅（Si/SiO₂）界面。
低能量接触（Low Energy Contact，LEC）在半导体制造中的应用：物理学、工艺原理及先进节点演进
随着CMOS技术持续微缩进入纳米尺度，金属互连与半导体源/漏区界面相关的电阻——即接触电阻——已成为限制晶体管性能的最主要寄生元件之一。
LPCVD 原理：传输、表面反应与覆盖
区分 LPCVD 的传输、表面反应与覆盖问题。
LSA：瞬态加热、激活与热集成
激光尖峰退火（LSA）是一种先进的热处理技术，它利用聚焦的高强度激光能量，在极短的瞬态时间内，将半导体晶圆近表面区域迅速加热至极高峰值温度。