技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
40nm BSI CMOS图像传感器后段第四层金属互连集成：工艺流程原理与器件物理
在完整流程中的角色 在 40nm 背照式（BSI）互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器工艺流中，金属四（MET4）互连模块在后段工艺（BEOL）互连叠层中占据关键位置 A2。该模块接收已完成前端器件制造的晶圆——包括钉扎光电二极管（PPD）构建、传输栅极集成和浮动扩散（FD）优化——以及下层金属层级（MET1 至
14纳米FinFET自对准接触集成：工艺流原理与机制
在整体流程中的角色 14nm FinFET自对准接触集成是一个关键模块，它连接了前段工艺的晶体管制造与后段工艺的互连堆叠 P3。当此模块开始时，晶圆已经经历了鳍片成型、栅极图案化、源漏外延、置换金属栅极处理以及接触金属凹陷——所有这些工艺共同定义了底层三维晶体管拓扑结构 P1。自对准接触模块必须将这个已成型的晶体管结构
28纳米平面金属二层互连集成：工艺流原理与机制深度解析
在完整流程中的角色 28nm平面工艺金属二层（M2）互连集成模块在28nm平面CMOS工艺的后段工艺（BEOL）序列中占据关键位置P1。当晶圆进入M2模块时，前段工艺（FEOL）晶体管结构——包括根据28nm平台类型的高k/金属栅极（HKMG）或多晶硅SiON栅叠层——已完全形成，接触模块也已建立硅沟道与互连叠层之间的
40nm背照式CMOS图像传感器直接键合互连集成工艺流程：原理与物理机制
在整个流程中的角色 在40nm背照式（BSI）CMOS图像传感器中，直接键合互连（DBI）模块充当像素传感器晶圆与逻辑/读出晶圆之间的关键桥梁 P3。上游，DBI模块接收的传感器晶圆，其背照式架构已通过光电二极管形成、传输栅极集成以及多层金属化工艺确定，最终形成顶层键合焊盘层（称为METAL 8，即DBI焊盘）A1。下
40nm BSI CMOS图像传感器Via-Five集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 40nm背面照度(BSI)CMOS图像传感器的第五通孔(V5)集成模块，在背面照度CMOS图像传感器的多层互连堆叠中占据关键位置P3。在BSI架构中，光线从硅衬底背面入射，穿过微透镜和滤色片后到达钉扎光电二极管(PPD)区域P2。相对地，晶圆正面承载着完整的金属化堆叠——包括像素读出晶体管、浮动扩散
7nm FinFET 顶层金属互连集成：M12模块工艺流程原理及ESL化学
在完整流程中的角色 7nm FinFET顶层金属互连集成代表了后段工艺（BEOL）布线堆栈的收官之作，其中最后的厚金属层——指定为M12——连接密集的下层信号布线至焊盘和封装接口P2。在一个全面采用极紫外（EUV）光刻技术进行最小间距金属和通孔互连的7nm FinFET技术平台中，M12模块工艺流程必须调和两个根本不同
7nm FinFET M3互连集成：工艺流原理与ESL机制
在完整流程中的角色 在7nm FinFET技术平台中，金属三（M3）互连模块在后段工艺（BEOL）互连堆叠中占据枢纽位置 P2。它接收已完成平坦化并带有覆盖层的金属二（M2）层，并必须提供一个完全图案化、填充且平坦化的M3布线层，以供后续的金属四（M4）及以上层级在其基础上构建而不发生退化 P2。M3模块不仅仅是一个金
7纳米FinFET金属十层互连集成：工艺流程原理、ESL化学与模块依赖关系
在完整流程中的角色 7nm FinFET技术平台代表了一个世代，其中极紫外（EUV）光刻被全面应用于中段工艺（MOL）接触孔和最小间距金属/通孔互连，与前代节点相比，从根本上收紧了关键尺寸（CD）分布并减少了掩模层数量 P1。在此平台内，第十层金属（M10）互连模块在后段工艺（BEOL）堆叠中占据了一个关键的过渡位置：
7nm FinFET M9（第九层金属）互连集成：ESL化学、大马士革逻辑及模块依赖性
在完整工艺流程中的角色 7nm FinFET 第九层金属 (M9) 互连集成模块在 7nm CMOS FinFET 技术平台的后段工艺 (BEOL) 堆叠中占据关键位置 P1。当工艺流程到达 M9 时，前段工艺 (FEOL) 晶体管形成——包括鳍片定义、源/漏外延、高k/金属栅极替换以及中段工艺 (MOL) 接触结构—
7nm FinFET接触孔集成工艺流程：原理、机理与集成逻辑
在完整流程中的角色 7纳米FinFET接触集成模块位于前段工艺（FEOL）晶体管形成与中段工艺（MOL）/后段工艺（BEOL）互连构建之间的关键界面P2。在该模块启动时，晶圆已完成鳍形成、浅槽隔离（STI）、虚拟栅极图案化、源漏外延、侧墙形成和替代金属栅极（RMG）工艺P1。接触模块接收的是一个完全成型的FinFET晶
7nm FinFET金属第十一层互连集成：工艺流程原理、ESL化学与模块依赖关系
在完整流程中的角色 金属十一（M11）互连模块在7nm FinFET技术平台的后段工艺（BEOL）堆叠中占据着关键位置P1。当晶圆到达该模块时，前段工艺（FEOL）晶体管制造——包括鳍片图形化、高k金属栅极（HKMG）替代、源/漏外延以及中段工艺（MOL）接触形成——已经全部完成P1。BEOL互连层级通过连续的金属层逐
40nm背照式CMOS图像传感器双通孔集成：工艺流原理与器件物理
在整个流程中的作用 在40nm背照式（BSI）CMOS图像传感器中，通孔二（V2）模块是第二层金属互连与后续第三层金属之间的关键层间连接步骤 T1。在BSI CMOS图像传感器架构中，正面金属叠层承载像素读出信号、偏置线以及外围逻辑互连，所有这些都必须通过逐级通孔层路由至焊垫和外部电路 P2。具体而言，通孔二模块接收已