探索 BEOL 互连物理 — 铜双大马士革工艺、阻挡/种子层、电迁移和 RC 延迟微缩。了解金属化方案如何从 28nm 演进到 7nm 及更先进节点。
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
1.引言 铜双大马士革工艺是一种基础的后段工艺(BEOL)金属化技术，在单次铜填充和化学机械抛光(CMP)步骤中同时形成金属通孔和金属沟槽互连T1。与直接沉积和刻蚀金属膜的方法不同——这种方法对铜不适用，因为Cu的干法刻蚀会产生非挥发性副产物——该工艺改为首先在介电层中刻蚀所需的几何形状，用铜填充，然后通过CMP去除多