技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
刻蚀2026年3月29日5 分钟阅读
半导体制造中的反应离子刻蚀：物理机制、原理与工艺演进
引言 反应离子刻蚀（RIE）是半导体制造中广泛使用的一种基准干法刻蚀技术，用于将光刻图形转移到各种基板材料上 P1。随着集成电路特征尺寸缩小至纳米尺度，传统的基于液体的材料去除方法——如湿法刻蚀——因其本质上的各向同性而变得不再适用，这会导致掩模下方出现横向侧蚀 T2。为了克服这些限制，业界依赖于反应离子刻蚀工艺，该工
刻蚀2026年3月29日5 分钟阅读
半导体刻蚀：物理原理、工艺机制与先进集成
简介 刻蚀是一种基础工艺，利用物理或化学方法去除不需要的材料部分，以制造精确的微观结构 P1。虽然最早的刻蚀技术出现在艺术领域，如雕塑和印刷，但现代刻蚀已发展成为微电子行业中最关键的工艺之一 P1。在半导体制造中，刻蚀用于通过使用掩模层（通常是光刻胶，有时也使用其他薄膜）选择性地去除材料来对薄膜进行图案化 T1。该工艺
刻蚀2026年3月29日5 分钟阅读
半导体制造中的湿法刻蚀：原理、物理机制与工艺演进
简介 湿法刻蚀是半导体制造中一种基础的材料去除工艺，利用液体化学品或刻蚀液溶解晶圆表面的特定材料 P2。在微纳制造领域，湿法刻蚀工艺完全依赖于化学反应，而非物理离子轰击来实现材料去除 T1。任何湿法刻蚀工艺的总体流程均包括：反应性刻蚀物种输运至暴露表面、发生化学表面反应、以及反应副产物从表面扩散或输运离开 P2。从历史
刻蚀2026年3月15日5 分钟阅读
干式刻蚀：原理、物理学和在先进半导体制造中的作用
介绍 干法刻蚀是现代半导体制造中最关键的图形转移技术之一 T2。与依靠液体化学溶液溶解材料的湿法刻蚀不同，干法刻蚀使用气相物种——最常见的形式是等离子体——从衬底表面去除材料 T1。"干法"一词反映了没有液体蚀刻剂的特点，由于几乎总是涉及等离子体，该过程经常被称为等离子体刻蚀或等离子刻蚀 P2。干法刻蚀在集成电路制造中