技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
薄膜应力与沟道应变：追踪机械作用怎样传递
沿薄膜应力、沟道应变和输运的关系，分清机械证据与电学结果。
掌握40nm BSI CMOS图像传感器中上层OCL回流机制：物理学、表面自由能与光学集成
在完整工艺流程中的功能 在现代40nm背照式（BSI）互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器（CIS）中，硅衬底上方的光学堆栈决定了入射光子被收集并转换为电荷的效率。
14nm FinFET接触刻蚀停止层与前金属介质集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 14nm FinFET接触孔刻蚀停止层与前金属介质（PMD）集成工艺位于晶体管制造流程的关键节点——在源漏（S/D）外延形成之后、接触孔金属化及第一层金属互连之前。
14nm FinFET第二预金属介质集成：工艺流原理与机制
在完整流程中的角色 在14纳米FinFET技术平台中，第二层预金属介质（PMD2）模块在前段工艺（FEOL）器件形成和后段工艺（BEOL）互连构建之间占据着关键位置。
40nm BSI CMOS图像传感器背面钝化集成：工艺流程原理与器件物理
在完整流程中的角色 在40nm背照式CMOS图像传感器（BSI CIS）工艺流程中，背面钝化（BKPAS）模块位于晶圆背面减薄与背面光学元件形成之间的关键位置。
40nm BSI CMOS图像传感器彩色滤光片阵列集成：工艺流原理与器件物理
在完整流程中的角色 在40纳米背照式（BSI）互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器中，彩色滤光阵列（CFA）集成模块在整体光学堆叠中占据着关键位置——它接收已完成光敏二极管形成和正面互连金属化、经过减薄和平坦化的…
40nm背照式CMOS图像传感器第一层间介质集成：工艺流程原理与模块逻辑
在完整流程中的角色 40nm背照式CMOS图像传感器第一层间介质（ILD1）模块代表了后道工序（BEOL）中的关键介质模块。
40nm背照式CMOS图像传感器第二层间介质集成：工艺流程原理与物理机制
在完整流程中的角色 在40nm背照式（BSI）CMOS图像传感器中，第二层间介质（ILD2）模块位于40nm BSI CMOS图像传感器工艺流的关键位置，连接第一层金属化与第二层互连堆叠。
40nm背照式CMOS图像传感器第三层间介质集成：工艺流原理与器件物理
在完整流程中的角色 在40nm背照式CMOS图像传感器中，第三层间介质层（ILD3）模块在后段工艺（BEOL）互连堆栈中占据着举足轻重的地位。
40nm背照式CMOS图像传感器第四层介质层集成：工艺流程原理与器件物理
在完整流程中的角色 在40nm背照式（BSI）互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器（CIS）中，第四层内层介电层（ILD4）模块作为后段工艺（BEOL）互连堆叠中第三金属层（M3）与第四金属层（M4）之间的介电隔…
40nm 背照式 CMOS 图像传感器第五层介质层集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 在40nm背照式（BSI）互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器工艺中，第五层间介质（ILD5）模块在后段工艺（BEOL）互连堆叠中占据关键位置。
40nm BSI CMOS图像传感器 ILD6集成：工艺流程原理与介电物理学
在完整流程中的作用 在40纳米背照式（BSI）互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器制造流程中，第六层金属间介质（ILD6）模块位于多层金属互连堆叠的上端附近，起到连接已完成的金属互连层与最终钝化层或焊盘架构的桥梁…