技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
激活与扩散：退火过程中改变的是状态还是位置？
分别追踪掺杂状态与位置，理解退火中的激活、扩散和损伤恢复。
栅氧化层制备：半导体制造中的物理原理、机制与工艺演进
栅极氧化（GOX）是在硅衬底上通过热工艺生长一层薄且高质量的二氧化硅（SiO₂）层，用作金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）中的栅极介质。
LSA：瞬态加热、激活与热集成
激光尖峰退火（LSA）是一种先进的热处理技术，它利用聚焦的高强度激光能量，在极短的瞬态时间内，将半导体晶圆近表面区域迅速加热至极高峰值温度。
半导体制造中的热氧化工艺：物理原理、机理与工艺集成
热氧化是半导体制造中最基础的工艺步骤之一，涉及硅衬底与氧化气氛（通常是分子氧O₂或水蒸气H₂O）在高温下的受控反应，以形成二氧化硅SiO₂。
快速热退火（RTA）：热历程与结果
RTA是热处理操作名称，不保证特定结果。核对起始结构、晶圆真实热历程与分别测量的结果，再在公开Flow中定位两种热处理职责。
快速热处理（RTP）：BSI 流程实例
在背面真空烘烤与后续钝化操作之间定位一个RTP Step，区分流程位置已说明的内容与仍需实测的结果。
揭秘 CMOS 图像传感器中的浮动扩散区：物理机制、工艺集成与微缩挑战
浮动扩散区是像素感测节点，转移电荷通过有效电容改变节点电压。40nm 流程可定位相关注入，不能代替器件性能测量。
扩散阻挡层：铜迁移、连续性与线电阻取舍
扩散阻挡层限制铜从互连线迁入邻近介质；扩散保护、附着力与线电阻必须共同权衡。
成形气退火：氢钝化机制、可达性与限制
成形气退火可在氢到达界面时钝化部分缺陷；气体安全性与器件收益均取决于混合气和膜栈。
动态表面退火：物理原理与先进制程节点集成
简介 在半导体逻辑和存储器件的持续微缩过程中，热预算管理已成为前道（FEOL）制造中最关键的挑战之一。随着晶体管栅极长度微缩至先进平面与 3D 架构，传统热处理方法（例如长时炉管退火和快速热处理 RTP…
栅氧化：物理原理、机制与工艺演进
栅极氧化是半导体衬底上形成高可靠性绝缘介电层的奠基工艺。该工艺所产生的栅极氧化层（GOX）在金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）中充当栅电极与半导体沟道之间的关键阻挡层。
激光尖峰退火：物理原理、工艺集成与半导体制造中的演变
激光尖峰退火（LSA）是先进半导体制造中的一项关键热处理技术，旨在将极高温度在极短时间内施加于硅片表面。随着器件尺寸不断缩小，半导体行业面临着一个根本性的热力学矛盾：注入硅晶格的掺杂剂必须在高温下进行电激活，但同样的高…