技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
光刻2026年3月29日5 分钟阅读
半导体制造中的光刻技术：物理学、原理及工艺演进
简介 光刻被公认为现代集成电路 (IC) 制造的基石 T2。在硅衬底上打印亚微米和纳米级特征图案的基本能力，造就了当今先进的电子设备 T2。该图案化工艺的概念原则上非常简单：将一种光敏聚合物（即光刻胶）涂覆在晶圆表面 T2。然后，通过光掩模版将该光刻胶选择性地暴露于光源下，从而将几何图案信息转移到晶圆上 T2。在实际的
光刻2026年3月15日5 分钟阅读
极紫外光刻：原理、物理学与亚5nm半导体制造之路
介绍：什么是极紫外光刻及其为何重要 P3？ 在追求更小、更快、更能效的半导体器件的不懈努力中，光刻一直是进步的节拍器 T1。极紫外（EUV）光刻代表了光学图形化历史上最重要的波长飞跃——从193 nm深紫外（DUV）时代转向13.5 nm的波长，这是超过一个数量级的缩减 P3。这种曝光波长的戏剧性缩短不仅仅是增量式的改