技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
光刻2026年9月11日5 分钟阅读
叠加对准与图形边缘误差：究竟是哪条边界移动了？
分开图形平移、宽度变化与局部边缘波动，理解叠加与边缘放置误差。
光刻2026年7月4日6 分钟阅读
半导体制造中的光刻技术：物理机制、化学机理与工艺原理
光刻，也称为光学光刻或紫外（UV）光刻，是将几何电路图案从光掩模转移到半导体晶圆上的感光光刻胶涂层上的工艺。它是集成电路（IC）制造中定义图案的关键步骤——每个晶体管栅极、隔离沟槽、接触孔和互连通孔都通过至少一次光刻循…
光刻2026年5月30日5 分钟阅读
先进半导体制造中的光刻技术：物理学、化学机制与节点演进
导言 在现代集成电路 (IC) 制造中，光刻是图形生成与转移的核心基石。光刻的主要目标是有选择性地将高精度、多维度的几何图形投影到半导体衬底上。
光刻2026年5月28日5 分钟阅读
光刻前清洗：先进半导体制造中的基本原理、化学机制与节点演进
在超大规模集成电路（ULSI）领域，表面清洗是一项持续且至关重要的工艺环节。在这些步骤中，光刻前清洗（Pre-Litho…
光刻2026年5月25日5 分钟阅读
ArF浸没式光刻：物理学、工艺原理及亚10nm扩展
几十年来，半导体行业一直在不懈地追求微缩，以保持摩尔定律所预期的性能提升和成本降低。实现这一微缩的主要手段是光学投影光刻。
光刻2026年3月29日5 分钟阅读
40nm 工艺流程中的光刻与图形转移
光刻通过曝光和显影形成胶图形，以引导后续图形转移；步骤次数随芯片流程变化。
光刻2026年3月15日6 分钟阅读
极紫外光刻：原理、物理学与亚5nm半导体制造之路
介绍：什么是极紫外光刻及其为何重要？ 在追求更小、更快、更能效的半导体器件的不懈努力中，光刻一直是进步的节拍器。