技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
先进半导体制造中的光刻技术：物理学、化学机制与节点演进
导言 在现代集成电路 (IC) 制造中，光刻是图形生成与转移的核心基石 T1。光刻的主要目标是有选择性地将高精度、多维度的几何图形投影到半导体衬底上 P2。这一工艺定义了有源区、隔离边界、晶体管栅极以及复杂的多层金属化网络的空间布局 T1, T2。微电子行业的历史轨迹一直由不断缩小这些特征尺寸的驱动力所决定，旨在优化器
Pre-Litho Clean: Fundamental Principles, Chemical Mechanisms, and Node Evolution in Advanced Semiconductor Manufacturing
Introduction In the realm of ultra-large-scale integration (ULSI), surface preparation is a continuous and critical necessity (Engineering Practice). Among thes
ArF浸没式光刻：物理学、工艺原理及亚10nm扩展
引言 几十年来，半导体行业一直在不懈地追求微缩，以保持摩尔定律所预期的性能提升和成本降低（工程实践）。实现这一微缩的主要手段是光学投影光刻 P3。随着行业向 90 nm 节点以下推进，利用 193 nm 波长工作的氟化氩 (ArF) 准分子激光器的传统“干式”光学光刻技术遇到了严峻的物理屏障 P4。干式系统的数值孔径
半导体制造中的光刻技术：物理学、原理及工艺演进
简介 光刻被公认为现代集成电路 (IC) 制造的基石 T2。在硅衬底上打印亚微米和纳米级特征图案的基本能力，造就了当今先进的电子设备 T2。该图案化工艺的概念原则上非常简单：将一种光敏聚合物（即光刻胶）涂覆在晶圆表面 T2。然后，通过光掩模版将该光刻胶选择性地暴露于光源下，从而将几何图案信息转移到晶圆上 T2。在实际的
极紫外光刻：原理、物理学与亚5nm半导体制造之路
介绍：什么是极紫外光刻及其为何重要 P3？ 在追求更小、更快、更能效的半导体器件的不懈努力中，光刻一直是进步的节拍器 T1。极紫外（EUV）光刻代表了光学图形化历史上最重要的波长飞跃——从193 nm深紫外（DUV）时代转向13.5 nm的波长，这是超过一个数量级的缩减 P3。这种曝光波长的戏剧性缩短不仅仅是增量式的改