学习 CMP 中化学与机械去除的协同作用。探索 Preston 方程、研磨浆料化学、碟形凹陷/侵蚀物理，以及平坦化在实现多层金属互连中的作用。
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
介绍 化学机械平面化（CMP），也被广泛称为化学机械抛光，是一种混合材料去除工艺，它将受控的化学反应与机械研磨相结合，以在大基底直径上产生异常平坦、光滑的晶圆表面 P1。CMP首次由IBM开发，并于1986年应用于氧化物抛光，随后于1988年应用于钨抛光，此后已发展成为半导体行业可以说是最关键的平面化技术 P1。它能够