技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
先进半导体制造中前段介质平坦化的基本原理
引言 前金属介质 (PMD) 层通常被称为第一层层间介电 (ILD) 层，它是前段工艺 (FEOL) 有源器件与后段工艺 (BEOL) 金属化层之间至关重要的电气隔离屏障 T1, T2。在第一层金属沉积之前，由于晶体管栅极、源极/漏极接触区以及浅沟槽隔离 (STI) 边界等底层结构的存在，晶圆表面具有高度的非平面性 T
揭秘多晶硅开路抛光 (Poly Open Polish)：原理、机制与先进制程集成
引言 在现代半导体制造中，从传统的氧化物基栅极向先进晶体管架构的转变，必然要求前段工艺（FEOL）和中段工艺（MOL）进行革命性的变革 T2。在这些创新中，替代金属栅极（RMG）方案（通常称为后栅极工艺）已成为制造高性能逻辑器件的基石 P1。实现该集成方案的一个关键工艺步骤是多晶硅开窗抛光（Poly Open Poli
理解 CMP 抛光液磨料：物理原理、微观机制与先进节点集成
引言 在现代半导体制造中，实现晶圆表面的全局平坦化是执行亚分辨率光刻工艺的基本要求 T1。随着晶体管尺寸的缩小，光学光刻系统的焦深急剧减小，几乎没有留给形貌变化的余地 T1。实现这一所需平坦度的主导技术是化学机械平坦化 (CMP) T1。该工艺的核心是 CMP 研磨液，这是一种包含悬浮纳米级磨料颗粒的复杂化学混合物 P
揭秘半导体制造中的过抛光：机制、挑战与先进节点集成
引言 在现代半导体制造中，实现硅片表面的全局平坦化是高分辨率光刻和多层互连集成的基本前提 A2。这种空间均匀性主要通过化学机械平坦化（CMP）来实现，该工艺同时利用化学作用和机械磨削来去除多余材料 P5。然而，由于原始薄膜固有的非均匀性、晶圆级偏差以及局部图案密度差异，定时抛光步骤很少能使整个晶圆表面的目标薄膜均匀去除
化学机械平坦化：原理、机制和先进工艺节点集成
介绍 化学机械平面化（CMP），也被广泛称为化学机械抛光，是一种混合材料去除工艺，它将受控的化学反应与机械研磨相结合，以在大基底直径上产生异常平坦、光滑的晶圆表面 P1。CMP首次由IBM开发，并于1986年应用于氧化物抛光，随后于1988年应用于钨抛光，此后已发展成为半导体行业可以说是最关键的平面化技术 P1。它能够