技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
化学机械抛光2026年9月11日5 分钟阅读
CMP 凹陷与侵蚀：先确定你比较的参考面
用金属、相邻介质和外围场区三个参考面，区分CMP局部凹陷与区域侵蚀。
化学机械抛光2026年9月11日5 分钟阅读
CMP 与刻蚀终点：信号究竟说明了什么？
解释CMP与刻蚀终点信号的含义，以及为什么检测到转变不等于所有结构合格。
化学机械抛光2026年7月4日6 分钟阅读
半导体制造中平坦化的基本原理：物理学、机理与集成逻辑
平坦化是减少或消除半导体晶圆表面形貌的工艺，使后续光刻、刻蚀和沉积步骤能够高保真度地执行。在现代集成电路制造中，每一层都建立在前一层之上，任何表面不规则性——无论来自图案化金属线、刻蚀沟槽还是沉积薄膜——都会沿堆叠结构…
化学机械抛光2026年7月4日6 分钟阅读
CMP：平坦度控制、凹陷与图形密度效应
化学机械平坦化（CMP）是一种关键赋能工艺，用于在集成电路（IC）制造中实现大直径晶圆的纳米级局部和全局平坦化。该概念由 IBM 的 Klaus D.
化学机械抛光2026年7月4日5 分钟阅读
半导体制造中的平坦化技术：物理原理、化学机制及先进节点演进
所链接 STI 与 PMD 工位是 CMP 实例。平坦化降低起伏；步骤名称不说明浆料、停止层、终点或实测缺陷。
化学机械抛光2026年5月30日6 分钟阅读
先进半导体制造中前段介质平坦化的基本原理
前金属介质（PMD）层，也称为第一层层间介电（ILD0）层，是前段（FEOL）有源器件（如晶体管栅极、源/漏结和浅沟槽隔离 STI 边界）与中段（MOL）接触网及后段（BEOL）金属化网络之间的关键结构与电气隔离屏障。
化学机械抛光2026年5月28日6 分钟阅读
揭秘多晶硅开窗抛光 (Poly Open Polish)：原理、机制与先进制程集成
在现代半导体制造中，从传统的氧化物基栅极向先进晶体管架构的转变，必然要求前段工艺（FEOL）和中段工艺（MOL）进行革命性的变革。
化学机械抛光2026年5月25日6 分钟阅读
理解 CMP 抛光液磨料：物理原理、微观机制与先进节点集成
在现代半导体制造中，实现晶圆表面的全局平坦化是执行亚分辨率光刻工艺的基本要求。随着晶体管尺寸的缩小，光学光刻系统的焦深急剧减小，几乎没有留给形貌变化的余地。实现这一所需平坦度的主导技术是化学机械平坦化 (CMP)。
化学机械抛光2026年5月25日6 分钟阅读
揭秘半导体制造中的过抛光：机制、挑战与先进节点集成
在现代半导体制造中，实现硅片表面的全局平坦化是高分辨率光刻和多层互连集成的基本前提。这种空间均匀性主要通过化学机械平坦化（CMP）来实现，该工艺同时利用化学作用和机械磨削来去除多余材料。
化学机械抛光2026年3月15日5 分钟阅读
化学机械平坦化：原理、机制与先进节点集成
CMP 结合化学与机械接触降低形貌差；去除与缺陷取决于抛光垫、浆料、材料和图形密度。