技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
注入剂量与电活性掺杂：你统计的是哪一种数量？
理解注入剂量、化学浓度、电活性掺杂与可移动载流子为何不是同一个量。
LDD 与 Halo 注入：两种不同的电场调控任务
从位置、极性、静电作用与电阻权衡，理解LDD和Halo为何不能互相替代。
7nm节点选择性eSi源漏集成：物理、化学与模块工艺整合
完整工艺流程中的功能 在 10nm 以下逻辑工艺制造中，n 型场效应晶体管 (nFET) 源漏极区域中选择性外延硅 (eSi) 的集成是 7nm FinFET 工艺流程中的核心模块。
14nm制程中的选择性硅与硅锗外延集成：原理、应变动力学及集成逻辑
完整工艺流程中的功能 在现代 14nm FinFET 逻辑制造中，加高源漏外延通过同时管理寄生串联电阻、沟道应力工程和牺牲接触材料，发挥着基础性作用。
28nm源漏集成中的选择性SiGe外延原理
<article 在完整工艺流程中的功能 在 28nm 平面工艺流程 (28nm Planar Flow) 的先进 p 型金属氧化物半导体 (pMOS)…
14nm FinFET 阱与沟道注入集成工艺流程：原理、机制与模块依赖性
在完整流程中的角色 阱和沟道注入集成模块在14nm FinFET工艺流程中处于一个关键节点，连接了鳍结构显露/隔离步骤与栅极堆栈构建。
14nm FinFET外延硅源漏集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 14nm FinFET 外延硅源漏（SD_ESI）模块在前段（FEOL）工艺流程中占据关键地位，位于栅极图形化和接触孔形成之间。
14nm FinFET嵌入式硅锗源漏集成：工艺流程原理与应变工程机制
在完整流程中的角色 在14纳米FinFET技术节点中，嵌入式硅锗（eSiGe）源漏模块是整个p型场效应晶体管（pFET）制造流程中性能最关键的集成序列之一。
28nm平面阱与沟道注入集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在整个流程中的角色 28nm平面工艺的阱和沟道注入集成代表了前段工艺（FEOL）流程中的一个关键转折点。在此阶段，硅衬底已经完成了浅槽隔离（STI）的形成以及初始有源区的定义，从而建立了相邻器件区域之间的物理边界。
28nm 平面器件源漏集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 28nm平面逻辑工艺中的源漏（SD）模块位于前段工艺（FEOL）序列的关键位置。它接收已经历过阱/沟道注入、扩展（轻掺杂漏极或LDD）注入以及第一次侧墙形成工艺的结构——这些步骤定义了沟道的静电框架…
28nm平面阱形成工艺流程：集成逻辑、器件物理与模块依赖关系
在完整流程中的作用 在28nm平面工艺流中，阱形成模块作为基础掺杂架构，后续所有晶体管、隔离和互连层均建立于此之上。在此模块开始前，晶圆已经历了28nm平面浅槽隔离工艺流，该流程定义了有源区之间的横向边界。
40nm背照式CMOS图像传感器N型浮置扩散注入光刻工艺流程：原理、机理与集成逻辑
在整个流程中的角色 在40nm背照式（BSI）CMOS图像传感器（CIS）中，N型浮置扩散离子注入光刻（N FD IIP - Photo）工序是定义像素阵列内电荷-电压转换节点的关键光刻掩模工艺。