技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
重置晶体管（RST）：先进半导体节点中的物理原理、工艺集成与阻变存储器控制
重置晶体管（RST）是现代非易失性存储器架构中的关键存取元件——特别是在单晶体管-单电阻（1T1R）电阻式随机存取存储器（RRAM）和氧化物基RAM（OxRAM）单元中。
快速热退火（RTA）：热历程与结果
RTA是热处理操作名称，不保证特定结果。核对起始结构、晶圆真实热历程与分别测量的结果，再在公开Flow中定位两种热处理职责。
快速热处理（RTP）：BSI 流程实例
在背面真空烘烤与后续钝化操作之间定位一个RTP Step，区分流程位置已说明的内容与仍需实测的结果。
半导体制造中的自对准接触（SAC）：原理、物理机制与集成逻辑
当半导体技术节点微缩至 28 nm 以下时，晶体管栅极间距的缩小速度快于光刻套刻精度的改善，这使得器件密度与良率之间产生了根本性的矛盾。
工程化第二PMD层：物理原理、工艺集成与先进节点微缩
在半导体互连制造的分层结构中，位于有源器件端与第一金属互连层之间的介电叠层，既起到电隔离屏障的作用，又为后续金属化工艺提供了结构基础。
半导体制造中的选择性：物理原理、工艺控制与先进节点演进
选择比在相同条件下比较两种材料上的工艺速率；流程标签只提供背景，没有实测速率比。
SOD：旋涂、固化与介质集成
旋涂介质（SOD）是一类通过将液态前驱体溶液分配到旋转的衬底上，利用离心力将溶液铺展成薄而均匀的薄膜，随后进行固化形成固态绝缘层的介质材料。
理解半导体衬底：物理原理、工艺集成与先进节点演进
在半导体制造中，术语“衬底”指代可在其上形成器件、电路或薄膜的任何底层材料或多层材料结构。在最基本的物理层面上，衬底是每个集成电路的物理与电气基础——它是构建晶体管、金属互连和无源元件的晶体平台。
工艺温度与热预算：半导体制造中的权衡
温度以不同方式影响扩散、反应速率、应力和工艺控制；热预算同时取决于时间与叠层材料。
半导体制造中的厚度理解：物理原理、计量学与节点演进
在半导体制造中，厚度指的是沉积或生长的薄膜层——无论是栅介质、金属互连、侧墙还是外延沟道——垂直于晶圆表面测量的垂直尺寸。
半导体制造中的均匀性：物理原理、工艺控制与先进节点挑战
均匀性衡量的是工艺结果（无论是薄膜厚度、关键尺寸 (CD)、刻蚀深度还是掺杂浓度）在晶圆内、晶圆间以及批次间的一致性。
解密先进半导体制造中的有源区：物理机制、工艺集成与尺寸缩放
在集成电路架构中，有源区 (Active Area, AA) 是进行电子计算和物理信号转换的基础域。从名义上讲，有源区是指半导体衬底或薄膜层中用于制造晶体管、二极管和发光元件等有源器件，且电荷载流子实际发生漂移、扩散或…